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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5257B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5257B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMSZ5257B-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ5257B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5257B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5257B-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款单齐纳二极管,其典型应用场景包括: 1. 电压调节:MMSZ5257B-7-F 的齐纳击穿电压为 13V(±5% 精度),适用于低功耗电路中的电压稳定。例如,在电源电路中,它可以用作参考电压源,确保负载电压保持恒定。 2. 过压保护:该器件能够限制输入或输出电压不超过其齐纳电压,从而保护敏感的下游电路。例如,在信号接口中,它可以防止瞬态高压损坏后续电子元件。 3. 信号箝位:在模拟或数字信号线路中,MMSZ5257B-7-F 可用于将信号电压限制在特定范围内,避免信号超出允许的工作区间。这在音频、视频或其他数据传输系统中非常有用。 4. 基准电压源:由于其稳定的齐纳电压特性,该二极管可以作为简单的基准电压源,为比较器、运算放大器等电路提供稳定的参考电平。 5. ESD 保护:在需要防止静电放电(ESD)损害的场合,MMSZ5257B-7-F 能够快速响应并吸收瞬时高电压,从而保护电路免受损害。 6. 功率管理:在一些小型设备的电池管理系统中,这款齐纳二极管可用于监控和调节电池电压,确保设备在安全范围内运行。 总之,MMSZ5257B-7-F 因其紧凑的封装(SOD-323)、低功耗特性和稳定的性能,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域的小型化设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 500MW SOD123稳压二极管 33V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMSZ5257B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5257B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 25V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5257B-FDICT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 58 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ5257B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 58 欧姆 |
| 齐纳电压 | 33 V |
| 齐纳电流 | 3.8 mA |