Datasheet下载- 型号： MMSZ5250ET1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5250ET1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5250ET1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5250ET1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ5250ET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5250ET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5250ET1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为27 V（容差±5%），额定功率为500 mW（在Tₐ=25°C下），采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与参考源：为精密模拟电路（如ADC/DAC参考、传感器调理电路、电源监控IC）提供稳定、低噪声的27 V基准电压。 2. 过压保护与箝位：在电源输入端或敏感信号线上，与TVS或限流电阻配合，将瞬态电压箝位于27 V附近，防止后级IC（如MCU、运放、接口芯片）因浪涌或反向电压损坏。 3. 线性稳压辅助电路：在低压差稳压器（LDO）或三端稳压器（如78xx系列）的反馈/使能网络中，用作分压基准或阈值检测元件。 4. 电池管理系统（BMS）：用于锂电组或多节电池的单体电压监测或均衡控制电路中，实现27 V级别的过压告警或关断触发。 5. 工业与汽车电子：适用于12 V/24 V系统中的稳压、电平转换及ESD防护（满足AEC-Q101认证，具备一定车规可靠性）。 该器件具有低动态阻抗（典型值35 Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.07 %/°C）和快速响应特性，适合空间受限、中等功率要求的嵌入式及电源管理应用。需注意散热设计，避免持续工作在最大功耗边缘。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 20V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ5250ET1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
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