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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4689ET1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4689ET1价格参考。ON SemiconductorMMSZ4689ET1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ4689ET1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4689ET1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4689ET1 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装齐纳二极管,标称齐纳电压为1.8 V(典型值),容差±5%,功率额定值为350 mW(SOD-123封装)。其低电压、小体积和高稳定性特点,使其适用于多种精密低压稳压与基准应用。 典型应用场景包括: 1. 低电压基准源:为ADC、DAC、传感器接口或低功耗MCU的参考电压电路提供稳定1.8 V基准,尤其适用于3.3 V或1.8 V供电系统中的分压/偏置校准; 2. 电源轨钳位与过压保护:在I/O端口或敏感模拟输入前级,配合限流电阻实现1.8 V电平钳位,防止瞬态过压损坏后级器件; 3. 低功耗唤醒/复位电路:在电池供电设备(如IoT节点、可穿戴设备)中,用于构建阈值检测电路,实现电压监控与系统复位功能; 4. LED恒流偏置或模拟电路偏置:在低压模拟前端中提供稳定偏置点,如运放输入端钳位、电流镜基准等。 该器件具有良好的温度稳定性(齐纳电压温度系数约−1.5 mV/°C)和快速响应特性,适合对空间和功耗敏感的便携式及嵌入式设计。需注意:实际应用中应合理设计限流电阻,确保工作电流在5–20 mA推荐范围内,以兼顾稳压精度与功耗。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ4689ET1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ4689ET1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.1V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |