Datasheet下载- 型号： MMIX1T600N04T2
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1T600N04T2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1T600N04T2价格参考。IXYSMMIX1T600N04T2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMIX1T600N04T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMIX1T600N04T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的MMIX1T600N04T2是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管结构，常用于功率电子设备中。该器件具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于高效能功率转换系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中，用于高效的电能转换； 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机控制电路中，作为功率开关使用； 3. 逆变器：用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中，实现直流电向交流电的转换； 4. 充电器系统：如电池充电器、电动车充电模块中，提供高效能开关控制； 5. 工业自动化：在工业控制系统中作为高频率开关元件，提升系统效率和响应速度； 6. 照明系统：用于LED驱动电源中，实现恒流或恒压控制。 该MOSFET适合用于中高功率应用，尤其在需要高效率与小型化设计的场合表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 600A SMPD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMIX1T600N04T2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 590nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.3 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | SMPD |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 21-SMD 模块 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600A （Tc） |
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