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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMIX1F210N30P3
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1F210N30P3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1F210N30P3价格参考。IXYSMMIX1F210N30P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMIX1F210N30P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMIX1F210N30P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的MMIX1F210N30P3是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率场效应晶体管，常用于高功率和高频率的应用场景。该器件具有良好的导通特性和快速开关能力，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于高效能电能转换。 2. 电机驱动：在直流电机、无刷电机控制电路中作为功率开关，实现对电机速度和方向的控制。 3. 逆变器系统：用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中，实现直流电到交流电的转换。 4. 工业自动化控制：在工业控制系统中作为功率开关，用于控制各种负载，如加热元件、电磁阀等。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、电动车控制器、LED照明驱动等。 6. 高频率开关应用：由于其快速开关特性，适用于高频开关电路，如射频功率放大器等。 该MOSFET适用于要求高效率、高稳定性和高功率密度的电子系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 108A MMIX |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMIX1F210N30P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Polar3™ HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 16200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 105A, 10V |
| 供应商器件封装 | 24-SMPD |
| 其它名称 | Q7717170 |
| 功率-最大值 | 520W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 24-BESOP（0.906"，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 108A （Tc） |
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