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- 型号： MMG20271HT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMG20271HT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMG20271HT1价格参考。Freescale SemiconductorMMG20271HT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMG20271HT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMG20271HT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMG20271HT1 是飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor，现属NXP Semiconductors）推出的一款高性能GaAs pHEMT射频功率放大器，工作频率范围为2.3–2.7 GHz，典型用于LTE和WiMAX等宽带无线通信系统。其主要应用场景包括： - 4G LTE基站前端模块：作为小型基站（Picocell/Femtocell）或分布式天线系统（DAS）中的末级驱动/功放级，提供高增益（约18 dB）、高效率（PAE约35% @ +27 dBm输出）及良好线性度，满足ACLR要求； - 无线宽带接入设备：应用于2.6 GHz频段的WLAN回传、固定无线接入（FWA）终端及CPE设备中，支持高数据吞吐与稳定链路； - 工业与专网通信：适用于公共安全通信（如TETRA/LTE专网）、智能电网无线终端及无人机图传链路等对可靠性与温度稳定性（-40°C 至 +85°C）要求较高的场景。 该器件采用SOT-89-4封装，集成片内匹配与ESD保护，简化外围设计，适合空间受限的紧凑型射频板布局。需注意其为+5 V单电源供电，典型偏置电流约120 mA，设计时应配合适当散热与输入/输出阻抗匹配网络以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID |
| 描述 | IC DRVR AMP HI LINEARITY QFN12 |
| 产品分类 | RF 放大器 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| P1dB | 27.5dBm |
| 产品型号 | MMG20271HT1 |
| RF类型 | LTE，TDS-CDMA，W-CDMA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 12-QFN（3x3） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 1.7dB |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 测试频率 | 2.14GHz |
| 电压-电源 | 5V |
| 电流-电源 | 180mA |
| 频率 | 1.5GHz ~ 2.7GHz |
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