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- 型号： MMFZ2V7T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ2V7T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ2V7T3G价格参考。ON SemiconductorMMFZ2V7T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ2V7T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ2V7T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ2V7T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为2.7V（容差±5%），最大功率耗散为200mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 低电压精密稳压与参考：适用于3.3V或2.8V供电系统中为传感器、ADC基准源或微控制器IO口提供稳定的2.7V参考电压，尤其在空间受限的便携设备中。 2. ESD保护与过压钳位：可并联在敏感信号线（如I²C、USB数据线、GPIO）两端，利用其快速响应（反向击穿特性）将瞬态电压钳位于2.7V附近，配合TVS或限流电阻实现低成本静电防护。 3. 电源轨箝位与电平转换辅助：在低压逻辑电路（如1.8V/2.5V系统）中，用于限制信号摆幅、防止负压或超压损坏器件；也可辅助实现简单双向电平适配。 4. 电池电压监测与阈值检测：配合分压电阻及比较器，构成2.7V欠压检测电路，用于锂电池（单节标称3.7V）放电截止保护或系统低功耗唤醒控制。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ -1.5mV/°C）和AEC-Q200认证（车规级），亦可用于汽车电子中的车身控制模块、LED驱动反馈环路等对可靠性要求较高的场合。需注意其额定功率较小，不适用于大电流稳压场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ2V7T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 2.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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