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- 型号： MMFZ2V4T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ2V4T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ2V4T3G价格参考。ON SemiconductorMMFZ2V4T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ2V4T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ2V4T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ2V4T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为2.4 V（典型），容差±5%，最大功率耗散为200 mW，采用SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 低电压基准与稳压：适用于3.3 V或更低电源轨的精密电压参考，如为ADC、传感器或微控制器提供稳定偏置电压； 2. 过压保护（OVP）：常用于I/O端口或信号线的ESD/瞬态钳位，配合TVS或限流电阻，将电压钳位在2.4 V附近，防止后级电路（如MCU GPIO、通信接口）因浪涌或静电受损； 3. 逻辑电平转换与箝位：在低功耗嵌入式系统中，用于将高于2.4 V的输入信号安全箝位至兼容电压，保护3.3 V/1.8 V器件； 4. 电池供电设备保护：在纽扣电池（如CR2032）或单节锂电池（放电末期约2.5–3.0 V）应用中，实现欠压检测辅助功能或电压门限设定； 5. 消费电子与便携设备：广泛用于智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点等对尺寸和功耗敏感的场景，得益于其小体积（SOD-123）、低泄漏电流（典型IZK < 1 µA）及快速响应特性。 该器件工作温度范围宽（–65°C 至 +150°C），符合AEC-Q101（汽车级）标准，亦可用于车载信息娱乐系统中的低压稳压与信号保护。需注意：实际使用时应结合限流电阻设计，避免超过额定功耗，并考虑温度系数（TC ≈ –1.5 mV/°C）对精度的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ2V4T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 2.4V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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