Datasheet下载- 型号： MMDT2907A-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT2907A-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT2907A-7价格参考。Diodes Inc.MMDT2907A-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDT2907A-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT2907A-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT2907A-7 是 Diodes Incorporated 推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-363（SC-70-6）封装，内含两个匹配的 PNP 晶体管（共发射极配置），具有高增益、低饱和压降和良好热跟踪特性。其典型应用场景包括： 1. 互补对称驱动电路：常与 NPN 阵列（如 MMDT2222A）搭配，构成推挽输出级，用于 LED 驱动、小功率逻辑电平转换或接口缓冲。 2. 电流镜与偏置电路：利用两管参数匹配性，构建精密电流镜、基准电流源或放大器偏置网络，适用于模拟前端、传感器信号调理等。 3. 差分对与有源负载：在低压低功耗运算放大器或比较器输入级中作为差分管或有源负载，提升增益与线性度。 4. 开关与逻辑接口：支持 3.3V/5V 系统，可用于微控制器 GPIO 扩展驱动继电器、小型电磁阀或光电耦合器输入侧，实现电平转换与隔离控制。 5. 便携式设备电源管理：在电池供电设备（如可穿戴设备、IoT 节点）中用于负载开关、电池反接保护或 LDO 使能控制。 该器件最大集电极电流为 -200mA（每管），VCEO = -60V，hFE 典型值 100–300（IC = −150mA），具备 ESD 保护（HBM ≥2kV），适合空间受限、需双管协同工作的中低频（fT ≈ 200MHz）、中小功率应用。不推荐用于高频射频或大功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 60V 600MA SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDT2907A-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.6V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT2907A7 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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