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- 型号： MMBZ5266B-HE3-08
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5266B-HE3-08由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5266B-HE3-08价格参考。VishayMMBZ5266B-HE3-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5266B-HE3-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5266B-HE3-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5266B-HE3-08 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款表面贴装（SMD）单齐纳二极管，标称稳压值为 7.5 V（典型值），容差 ±5%，最大功率耗散为 300 mW（在 Tₐ = 25°C 下），采用 SOT-23 封装。 其主要应用场景包括： ✅ 电压基准与参考源：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC 基准、精密比较器）提供稳定、低噪声的7.5 V参考电压； ✅ 过压保护（OVP）与箝位：配合TVS或限流电阻，用于保护后级IC（如MCU、接口芯片）免受瞬态过压（如ESD、开关噪声）损害； ✅ 电源稳压辅助：在低压线性稳压器（如LDO）前级或反馈网络中作分压/稳压元件，适用于便携式设备（蓝牙耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点）； ✅ 消费电子与工业控制板：广泛用于主板电源监控、电池管理电路（BMS）中的电压检测阈值设定，以及PLC模块、电表等对成本与尺寸敏感的嵌入式系统。 该器件具备低动态阻抗（典型值140 Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ +2.5 mV/°C）及AEC-Q200兼容版本（本型号HE3-08为标准工业级），适用于-65°C ~ +150°C宽温环境。其小尺寸（SOT-23）、高可靠性及Vishay一贯的批次一致性，使其成为空间受限、需长期稳定运行场景的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 5% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5266B-HE3-08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
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