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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5265C-E3-18
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5265C-E3-18由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5265C-E3-18价格参考。VishayMMBZ5265C-E3-18封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5265C-E3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5265C-E3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5265C-E3-18 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为68 V（容差±5%），最大功率耗散为300 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位：在电源输入端或敏感模拟/数字电路（如MCU I/O口、ADC参考端）中，作为瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合TVS或RC网络实现精确电压钳位，防止浪涌或ESD导致的68 V以上过压损坏。 2. 基准电压源：在低功耗、非精密场合（如电池供电设备的电压检测电路）中，提供稳定参考电平，用于比较器阈值设定或简单稳压反馈（需限流电阻匹配）。 3. 浪涌吸收与箝位电路：常用于继电器线圈、电感负载关断时的反向电动势吸收，限制感应电压峰值不超过68 V，保护驱动MOSFET或晶体管。 4. 工业控制与通信接口保护：适用于RS-485、CAN总线等接口的共模过压防护辅助设计，提升系统EMC鲁棒性。 注意：该器件为单齐纳结构，不集成反向TVS特性，需外接限流电阻；不适用于大电流稳压或高频噪声抑制场景。选型时需校核功耗（I_Z × V_Z ≤ 300 mW）及温度降额。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23稳压二极管 62 Volt 0.225W 2% |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors MMBZ5265C-E3-18* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5265C-E3-18MMBZ5265C-E3-18 |
| 产品 | Small Signal Zener Diodes |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 单位重量 | 8.800 mg |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 185 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 0.097 %/C |
| 系列 | MMBZ52xx |
| 配置 | Single |
| 齐纳电压 | 62 V |
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