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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5259BW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5259BW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5259BW-7-F价格参考￥0.41-￥0.45。Diodes Inc.MMBZ5259BW-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5259BW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5259BW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5259BW-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款小型表面贴装齐纳二极管（单管），采用SOT-323（SC-70）封装，标称齐纳电压为68V（容差±5%），最大功率耗散为200mW，测试电流IZT为1.0mA。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：用于低功耗电路中为敏感元件（如MCU I/O口、传感器参考端、通信接口）提供68V钳位保护或基准电压源，防止瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损坏后级电路。 2. ESD防护：凭借快速响应和低钳位电压特性，常与TVS或RC网络配合，用于USB、I²C、GPIO等低压信号线的二级静电防护（IEC 61000-4-2 Level 4兼容设计）。 3. 电源轨监控与基准：在电池供电或宽输入范围电源中，作为简易电压检测/基准元件，配合比较器实现欠压锁定（UVLO）或过压告警功能。 4. 消费电子与便携设备：因尺寸小（1.25×2.0×0.9mm）、无铅且符合RoHS，广泛应用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备、IoT模块等空间受限场景中的局部稳压或保护电路。 需注意：该器件不适用于大电流稳压（IZ > 5mA时温升显著），设计时应确保功耗≤200mW，并考虑温度系数（约0.08%/°C）对精度的影响。建议搭配限流电阻使用，并参考Diodes官方数据手册进行热设计与ESD布局优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 39V 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5259BW-7-F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 30V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | MMBZ5259BW-FDITR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
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