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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5257B-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5257B-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5257B-7价格参考。Diodes Inc.MMBZ5257B-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5257B-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5257B-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5257B-7 是 Diodes Incorporated 推出的一款小信号齐纳二极管（单管），标称稳压值为6.8V（容差±5%），额定功率为200mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与参考：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）中提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于保护MCU I/O口、通信接口（如I²C、UART）免受瞬态过压冲击； 3. 电源稳压/钳位：在非精密低压电源中作简单稳压或电压钳位，例如为LDO使能引脚提供阈值检测电压； 4. ESD防护辅助：作为二级ESD保护器件，与主TVS协同抑制静电放电能量； 5. 电池供电设备：适用于便携式设备（如TWS耳机、智能手环）中的电池电压监测或充电管理电路中的分压反馈稳压环节。 该器件具有低动态阻抗（≤20Ω）、快速响应（纳秒级）及宽工作温度范围（–65°C ~ +150°C），适合空间受限、成本敏感的消费电子与工业控制应用。需注意：不适用于大电流稳压场合，设计时应确保功耗不超过200mW（建议工作电流≤20mA），并考虑温度系数影响（约+2mV/°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 350MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5257B-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 25V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5257B |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 58 欧姆 |
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