Datasheet下载- 型号： MMBZ5255ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5255ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5255ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5255ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5255ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5255ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5255ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为6.8 V（典型值），容差±5%，最大功率耗散为200 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与参考：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定基准电压； 2. 过压保护/钳位：在I/O端口或敏感接口（如USB、GPIO、通信线路）中，配合限流电阻实现瞬态电压钳位，防止ESD或浪涌损坏后级器件； 3. 电源稳压辅助：在低压、小电流场景下（如LDO前级或负载点局部稳压），作为简易稳压元件，适用于待机电源、实时时钟（RTC）供电等微功耗系统； 4. 反馈环路补偿：在开关电源或线性稳压器的反馈网络中，用于设定输出电压或提供温度补偿（需结合其他元件）； 5. 逻辑电平转换与限幅：在数字电路中限制信号幅值（如将5 V信号钳位至3.3 V兼容电平），保障接口安全。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性及AEC-Q200认证（适用于汽车电子），因此也常见于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的工业及汽车应用中。注意：因其功率有限，不适用于大电流稳压场合，设计时需严格校核功耗（P = Vz × Iz）并确保散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 28V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5255ELT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 21V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5255ELT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 28V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 44 欧姆 |
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