Datasheet下载- 型号： MMBZ5251C-G3-18
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5251C-G3-18由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5251C-G3-18价格参考。VishayMMBZ5251C-G3-18封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5251C-G3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5251C-G3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5251C-G3-18 是 Vishay Semiconductors 推出的一款表面贴装（SMD）齐纳二极管，标称稳压值为 68 V（容差 ±5%），额定功率为 300 mW（在特定散热条件下），采用 SOT-23 封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护：常用于电源输入端或敏感模拟/数字电路前级，与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态高压（如ESD、浪涌），防止后级IC损坏； 2. 电压基准与参考：在低精度、低成本要求的模拟电路中（如简单稳压源、比较器阈值设定、ADC参考分压网络）提供稳定基准电压； 3. 反馈环路稳压：在小功率开关电源或线性稳压器（如LDO辅助反馈）中，作为次级侧电压检测与误差反馈元件； 4. 电平钳位与信号整形：在通信接口（如RS-232接收端）、传感器信号调理电路中，限制信号摆幅，防止超范围输入； 5. 电池电压监测：用于多节锂电池组（如4S锂电，满充约64–68 V）的过压告警或保护逻辑触发点。 该器件具备低泄漏电流（IZK ≤ 1 µA）、良好温度稳定性及AEC-Q200兼容性（适用于汽车电子），适合工业控制、消费电子、汽车电子（非安全关键系统）及通信设备等中低功率场景。需注意：实际应用中应结合限流电阻设计，并考虑功耗与热降额，避免长期工作在最大额定功率附近。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5251C-G3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |
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