Datasheet下载- 型号： MMBZ5240B-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5240B-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5240B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5240B-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5240B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5240B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5240B-7-F 是德州仪器（Texas Instruments）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为10 V（容差±5%），功率额定值为350 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运算放大器偏置电路等提供稳定10 V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位敏感IC（如MCU I/O口、通信接口）的瞬态电压，防止ESD或浪涌损坏； 3. 电源轨箝位：在LDO输出端或DC-DC转换器反馈节点中，辅助实现更精确的输出电压调节或冗余保护； 4. 信号电平转换/限幅：用于音频、通信线路中限制信号摆幅，防止后级电路饱和或失真； 5. 低成本替代方案：在对精度和温度稳定性要求不苛刻的消费类电子（如充电器、LED驱动、家电控制板）中，替代更高成本的基准芯片。 该器件具有低动态阻抗（约17 Ω）、快速响应（纳秒级）及宽工作温度范围（–65°C 至 +150°C），适用于空间受限、成本敏感且需基础稳压/保护功能的工业与消费电子设计。注意：其温度系数约+9.5 mV/°C，高精度应用需考虑温漂补偿。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 10V 350MW SOT23-3稳压二极管 10V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5240B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5240B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 8V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5240B-FDITR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 17 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5240B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 17 欧姆 |
| 齐纳电压 | 10 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |
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