Datasheet下载- 型号： MMBZ5237ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5237ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5237ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5237ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5237ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5237ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5237ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为8.2 V（容差±5%），额定功率为200 mW，最大稳定电流IZM约41 mA。其典型应用场景包括： 1. 低功耗电压基准与稳压：用于便携式设备（如蓝牙耳机、智能手表、传感器节点）中为微控制器、ADC或参考电路提供简单、低成本的8.2 V基准电压。 2. 过压保护（OVP）与箝位：在IO接口或信号线上并联使用，限制瞬态电压（如ESD或感应浪涌）不超过8.2 V，保护后级敏感器件（如MCU GPIO、通信收发器）。 3. 电源轨监控与反馈：在LDO或DC-DC转换器的反馈分压网络中辅助设定输出电压，或用于简易电源OK检测电路。 4. 消费电子与工业控制板：广泛应用于家电主控板、LED驱动电源、工业I/O模块等对成本和尺寸敏感、且稳压精度要求不苛刻（±5%可接受）的场合。 该器件采用SOT-23封装，体积小、热性能良好，支持自动贴片生产；其低动态阻抗（约15 Ω）和快速响应特性，使其在中低频瞬态抑制中表现可靠。需注意：不适用于大电流或高精度稳压场景，长期工作电流建议控制在≤20 mA以保障寿命与稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT23-3稳压二极管 8.2V 225mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5237ELT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5237ELT1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 6.5V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5237ELT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 电压容差 | 5 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 8.2 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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