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产品简介:
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MMBZ5234ELT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为10 V(容差±5%),最大功率耗散为250 mW,采用SOT-23封装。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗便携设备(如传感器模块、IoT节点、可穿戴设备)中,为ADC参考源、微控制器复位电路或模拟前端提供稳定10 V基准电压; 2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,钳位敏感接口(如USB、I²C、GPIO)的瞬态过压,防止后级IC损坏; 3. 电源轨箝位:在DC-DC转换器反馈环路或LDO输出端作简单稳压/限幅,抑制纹波或浪涌; 4. 信号电平转换与限幅:在通信线路(如RS-232电平转换)或音频输入前级中,限制信号幅值,防止饱和或失真; 5. 低成本替代方案:适用于对精度要求不高、成本敏感的消费类电子(遥控器、LED驱动、电池管理电路)中的基础稳压需求。 需注意:该器件属通用型齐纳管,温度系数约±6.5 mV/°C,长期稳定性及精度低于专用基准芯片,故不适用于高精度测量或工业级温控场景。设计时应确保工作电流在5–20 mA范围内以维持稳压性能,并校验功耗与散热条件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5234ELT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5234ELT1OS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.2V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 7 欧姆 |