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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5234B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5234B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5234B-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5234B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5234B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5234B-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)出品的一款小信号齐纳二极管,标称稳压值为6.2 V(容差±5%),额定功率为300 mW,采用SOT-23封装。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与参考:在低功耗模拟电路、传感器信号调理或ADC/DAC参考源中,提供稳定、低成本的6.2 V基准电压。 2. 过压保护(钳位):常用于I/O端口或信号线的ESD防护与瞬态电压抑制,配合TVS或限流电阻,将异常电压钳位于6.2 V附近,防止后级IC损坏。 3. 电源稳压/分压反馈:在低压线性稳压器(如LDO)的反馈网络中,作为简易稳压元件辅助设定输出电压;或在电池供电设备中监测/限制电压阈值。 4. 逻辑电平转换与箝位:在不同电压域接口(如3.3 V MCU与5 V外设间)中,用作电平箝位二极管,防止输入超限。 5. 消费电子与便携设备:因SOT-23封装尺寸小、功耗低,广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网节点等空间受限且需可靠稳压/保护的场景。 需注意:该器件属通用型齐纳二极管,不适用于高精度或高稳定性要求场合(如精密仪器),亦不可替代专用TVS或高功率稳压器件。实际应用中应结合限流电阻设计,并考虑温度系数(约+2 mV/°C)对稳压精度的影响。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.2V 350MW SOT23-3稳压二极管 6.2V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5234B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5234B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5234B-FDITR |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 7 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.2V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5234B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 7 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.2 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |