Datasheet下载- 型号： MMBZ5230ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5230ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5230ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5230ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5230ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5230ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5230ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为4.7 V（容差±5%），功率额定值为225 mW（SOT-23封装），最大反向电流低（I_ZT = 20 mA时典型动态电阻仅约22 Ω），具有良好的温度稳定性和快速响应特性。 其典型应用场景包括： ✅ 电源电压钳位与过压保护：在低压数字电路（如MCU、传感器接口、USB供电路径）中，用于防止瞬态电压（如ESD或开关噪声）超过IC耐压限值（如5 V系统中钳位至4.7 V）。 ✅ 基准电压源：为低功耗模拟电路（如ADC参考分压器、比较器阈值设定、电流检测放大器偏置）提供简单、低成本的近似基准电压。 ✅ 信号电平限制/箝位：在通信接口（如I²C、UART收发端）中限制信号摆幅，防止输入引脚过压损坏。 ✅ 反馈环路稳压辅助：配合DC-DC转换器（如LDO或开关稳压器）实现简易输出电压微调或误差检测。 该器件因SOT-23小型封装、高可靠性及AEC-Q200认证（适用于汽车级版本），亦广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对空间和鲁棒性要求较高的场景。需注意：不适用于大电流稳压场合，设计时应校核功耗（P = V_Z × I_Z）并配合限流电阻使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5230ELT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5230ELT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 19 欧姆 |
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