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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5226ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5226ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5226ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5226ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5226ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为3.3 V（容差±5%），额定功率为200 mW（在SOT-23封装下），最大测试电流IZT为20 mA。其典型应用场景包括： 1. 低电压基准与稳压：为微控制器、传感器或ADC/DAC等模拟电路提供稳定参考电压，尤其适用于3.3 V供电系统中的简易电压钳位或基准源。 2. ESD保护与过压箝位：凭借快速响应和低动态阻抗特性，常用于I/O端口（如USB、GPIO、按键、通信接口）的瞬态抑制，吸收静电放电（IEC 61000-4-2 Level 2/3）及感应浪涌。 3. 电源轨保护：并联于3.3 V电源或信号线上，防止反向电压、上电冲击或LDO输出异常导致的过压损坏后级器件。 4. 低成本电压检测与限幅电路：在电池供电设备（如IoT节点、可穿戴设备）中实现电池电压监测、信号限幅或逻辑电平转换辅助功能。 该器件具有小尺寸（SOT-23）、高可靠性及AEC-Q200兼容性（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块、信息娱乐外围）。需注意：不可替代大功率稳压需求，设计时应校验功耗（P = VZ × IZ）及温度降额。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5226ELT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5226ELT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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