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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226BTS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226BTS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5226BTS-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5226BTS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5226BTS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5226BTS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-563 封装),内含两个独立、反向串联的齐纳二极管(共阴极结构),标称齐纳电压为 3.3 V(典型值,容差 ±5%),最大功率 200 mW(每管)。其主要应用场景包括: 1. 低电压稳压与参考:为微控制器、传感器或模拟电路提供低成本、小尺寸的3.3 V基准电压或偏置电压,适用于对精度要求不苛刻的便携式设备。 2. ESD 与瞬态电压抑制(TVS 功能):凭借双向钳位特性(±3.3 V),常用于 USB、I²C、SPI 等低速数字接口的静电放电(IEC 61000-4-2 Level 2/3)防护,吸收正负向瞬态脉冲。 3. 信号电平箝位与限幅:在运放输入端或ADC前端,防止信号超出供电轨(如3.3 V系统),保护后级电路免受过压损坏。 4. 电源轨去耦与噪声抑制:配合去耦电容,辅助抑制高频噪声和电源毛刺,提升系统稳定性。 该器件采用 SOT-563 超小型封装(1.6 × 1.6 mm),适合高密度 PCB 设计;无铅、符合 RoHS,广泛应用于消费电子(TWS耳机、可穿戴设备)、工业控制模块及物联网终端等对成本、尺寸和可靠性有综合要求的场景。注意:非专用TVS器件,不适用于高能量浪涌(如雷击)防护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER TRIPLE 3.3V SOT363稳压二极管 200MW 3.3V |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5226BTS-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5226BTS-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25µA @ 1V |
| 产品种类 | Diode - Zener Single |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 25 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 28 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.3V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5226B |
| 配置 | Triple Parallel |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 28 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.3 V |