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  • 型号: MMBZ5226BTS-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226BTS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226BTS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5226BTS-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5226BTS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5226BTS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5226BTS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-563 封装),内含两个独立、反向串联的齐纳二极管(共阴极结构),标称齐纳电压为 3.3 V(典型值,容差 ±5%),最大功率 200 mW(每管)。其主要应用场景包括:

1. 低电压稳压与参考:为微控制器、传感器或模拟电路提供低成本、小尺寸的3.3 V基准电压或偏置电压,适用于对精度要求不苛刻的便携式设备。

2. ESD 与瞬态电压抑制(TVS 功能):凭借双向钳位特性(±3.3 V),常用于 USB、I²C、SPI 等低速数字接口的静电放电(IEC 61000-4-2 Level 2/3)防护,吸收正负向瞬态脉冲。

3. 信号电平箝位与限幅:在运放输入端或ADC前端,防止信号超出供电轨(如3.3 V系统),保护后级电路免受过压损坏。

4. 电源轨去耦与噪声抑制:配合去耦电容,辅助抑制高频噪声和电源毛刺,提升系统稳定性。

该器件采用 SOT-563 超小型封装(1.6 × 1.6 mm),适合高密度 PCB 设计;无铅、符合 RoHS,广泛应用于消费电子(TWS耳机、可穿戴设备)、工业控制模块及物联网终端等对成本、尺寸和可靠性有综合要求的场景。注意:非专用TVS器件,不适用于高能量浪涌(如雷击)防护。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER TRIPLE 3.3V SOT363稳压二极管 200MW 3.3V

产品分类

二极管/齐纳阵列分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5226BTS-7-F-

数据手册

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产品型号

MMBZ5226BTS-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

25µA @ 1V

产品种类

Diode - Zener Single

供应商器件封装

SOT-363

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

25 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

28 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.3V

电压容差

5 %

系列

MMBZ5226B

配置

Triple Parallel

阻抗(最大值)(Zzt)

28 欧姆

齐纳电压

3.3 V

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