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- 型号： MMBV809LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV809LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV809LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBV809LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBV809LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV809LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBV809LT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款硅超突变结变容二极管，属于可变电容二极管（变容器）类别。该器件主要用于需要电压控制电容变化的射频（RF）电路中。其典型应用场景包括： 1. 压控振荡器（VCO）：在通信设备如手机、无线模块和收发器中，MMBV809LT1G用于调节振荡频率，通过改变施加的反向偏置电压来调整电容值，实现频率调谐。 2. 调谐电路：广泛应用于电视、广播接收机和射频滤波器中的自动频率调谐和频道选择，提升信号接收的灵敏度与稳定性。 3. 锁相环（PLL）系统：作为频率合成器中的关键元件，协助实现精确的频率控制和快速锁定。 4. 无线通信系统：适用于GSM、GPS、Wi-Fi等无线模块，支持高频段下的高效电容调节，确保信号传输质量。 5. 射频匹配网络：用于动态阻抗匹配，优化天线或放大器输入输出端的信号传输效率。 MMBV809LT1G采用SOD-323小型表面贴装封装，具有低功耗、高可靠性及优良的温度稳定性，适合高密度集成的便携式电子设备。其超突变结设计提供了更线性的电容-电压（C-V）特性，有利于实现平滑的频率调谐。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE TUNING SS 20V SOT23 |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBV809LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | 75 @ 3V，500MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 6.1pF @ 2V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBV809LT1GOS |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 20V |
| 电容比 | 2.6 |
| 电容比条件 | C2/C8 |
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