Datasheet下载- 型号： MMBV3102LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV3102LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV3102LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBV3102LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBV3102LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV3102LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBV3102LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款变容二极管（Varactor Diode），主要用于射频（RF）和微波电路中实现电压控制的电容变化。其典型应用场景包括： 1. 调谐电路：该器件广泛应用于无线通信系统中的电压控制振荡器（VCO），用于实现频率调谐。通过改变施加的反向偏置电压，可调节电容值，从而改变振荡频率，实现频率合成和调频功能。 2. 频率合成器：在通信设备如基站、无线接入点和射频收发模块中，MMBV3102LT1G用于构建高精度频率合成器，以生成稳定的本地振荡信号。 3. 射频滤波与匹配网络：在需要动态调整阻抗匹配或滤波频率的射频前端电路中，该变容二极管可用于实现自动调谐，提升系统效率和信号质量。 4. 调频广播与电视调谐器：在传统的广播接收设备中，用于实现频道选择和频率调谐。 该器件具有低功耗、高可靠性、封装小巧等优点，适用于便携式通信设备、无线模块、工业控制系统和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE TUNING SS 30V SOT23变容二极管 30V 20pF |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管）分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,变容二极管,ON Semiconductor MMBV3102LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBV3102LT1G |
| PCN过时产品 | |
| 不同Vr、F时的Q值 | 200 @ 3V，50MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 25pF @ 3V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 产品种类 | 变容二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBV3102LT1GOSDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向电压 | 30 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用频率范围 | VHF |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最小调谐率 | 4.5 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容 | 20 pF |
| 电容比 | 4.8 |
| 电容比条件 | C3/C25 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 调谐率测试条件 | 3 / 25 |
| 配置 | Single |
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