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- 型号： MMBV2105LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV2105LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV2105LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBV2105LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBV2105LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV2105LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBV2105LT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的超小型表面贴装变容二极管（Varactor Diode），采用SOT-23封装，具有低电容、高Q值和良好线性C-V特性的特点。其典型结电容范围约为2.5–12 pF（随反向偏压0.5–28 V变化），适用于高频调谐与频率控制场景。 主要应用场景包括： ✅ VCO（压控振荡器）：作为调谐元件，实现射频信号频率的精确、快速调节，广泛用于无线通信模块（如蓝牙、Zigbee、ISM频段设备）； ✅ RF滤波器与调谐电路：在可调带通/带阻滤波器中动态匹配中心频率或带宽，提升接收灵敏度与抗干扰能力； ✅ 自动频率控制（AFC）与锁相环（PLL）系统：配合反馈回路实现频率稳定与校准，常见于车载收音机、电视调谐器及基站前端； ✅ 天线调谐与阻抗匹配：在多频段移动终端（如智能手机、IoT模组）中动态优化天线效率，扩展工作带宽并提升发射/接收性能； ✅ 高频测试与测量设备：用于信号源、频谱分析仪等仪器的内部频率合成与校准模块。 该器件具备低串联电阻（Rs）、高击穿电压（≥30 V）及优良温度稳定性，适合-55°C至+150°C工业级应用环境，尤其适用于空间受限、功耗敏感的便携式与嵌入式射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE TUNING SS 30V SOT23 |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBV2105LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | 400 @ 4V，50MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 16.5pF @ 4V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBV2105LT1GOS |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容比 | 3.2 |
| 电容比条件 | C2/C30 |
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