【未分类_MMBV2105LT1】封装/厂家_MMBV2105LT1中文资料_价格

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型号： MMBV2105LT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV2105LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV2105LT1价格参考。ON SemiconductorMMBV2105LT1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBV2105LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV2105LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBV2105LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款超小型表面贴装硅变容二极管（Varactor Diode），采用SOT-23封装，具有低电容、高Q值和良好线性调谐特性。其典型结电容范围约为2.5–12 pF（随反向偏压0.5–28 V变化），Q值在100 MHz/5 V下可达≥200，适合高频窄带调谐应用。

主要应用场景包括：  
✅ VCO（压控振荡器）：作为频率调谐元件，用于无线通信系统（如ISM频段433/868/915 MHz、蓝牙、Zigbee）中的本地振荡器，提供稳定、低相位噪声的频率调节。  
✅ RF滤波器与调谐电路：在可调谐带通/带阻滤波器、天线匹配网络（如手机前端模块、IoT终端）中实现动态阻抗匹配与频点微调。  
✅ 电子调谐调频收音机（FM Radio Tuner）：替代传统机械可变电容，支持数字调谐与自动频率控制（AFC）。  
✅ PLL（锁相环）回路滤波器：配合环路滤波器实现精确频率合成与快速锁定。  

该器件具备低漏电流（IR ≤ 5 nA @ VR = 28 V）、优异温度稳定性及高可靠性，适用于空间受限、功耗敏感的便携式与嵌入式无线设备。注意使用时需施加稳定的反向偏置电压（禁止正向导通），并避免超过最大反向电压（VRWM = 28 V）及结温（Tj ≤ 150°C）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE TUNING SS 30V SOT23
产品分类	可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管）
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBV2105LT1
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Vr、F时的Q值	400 @ 4V，50MHz
不同 Vr、F时的电容	16.5pF @ 4V，1MHz
二极管类型	单一
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBV2105LT1OSCT
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	1
电压-峰值反向（最大值）	30V
电容比	3.2
电容比条件	C2/C30