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- 型号： MMBFJ310LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ310LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ310LT1价格参考。ON SemiconductorMMBFJ310LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBFJ310LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ310LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ310LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于射频（RF）类MOSFET/FET器件（实际为JFET，非MOSFET，但常归类于广义射频FET）。其典型应用场景包括： - 高频小信号放大：适用于VHF/UHF频段（最高可达500 MHz），常用于无线通信前端的低噪声前置放大器（LNA），如FM收音机、TV调谐器、无线麦克风及业余无线电接收电路。 - 射频开关与混频器：凭借低栅极电荷、高输入阻抗和良好线性度，可作为简易射频开关或混频器中的有源器件，用于信号通断控制或频率转换。 - 振荡电路：在低功耗、低成本LC振荡器（如本振LO）中用作有源元件，适用于便携式设备中的本地振荡源。 - 模拟信号处理：因具备良好的跨导（gm ≈ 20 mS）和低噪声特性，也用于音频/射频缓冲器、电流源、自动增益控制（AGC）电路等模拟接口模块。 该器件采用SOT-23封装，体积小、成本低，适合空间受限的消费类及工业级射频模块。需注意其为JFET结构（非绝缘栅MOSFET），无栅极氧化层，静电敏感性较低，但需正确偏置（反向偏置栅源电压VGS ≤ 0 V）以确保正常工作。典型应用中常配合匹配网络实现阻抗匹配与稳定性优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBFJ310LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBFJ310LT1OSCT |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 60mA |
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