Datasheet下载- 型号： MMBD6100LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD6100LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD6100LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBD6100LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBD6100LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD6100LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD6100LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的二极管整流器阵列。它属于小型高效整流器系列，具有低正向电压降和高浪涌电流能力，适用于多种电源管理和信号处理场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 直流-直流转换：用于开关电源中的续流二极管或同步整流电路，帮助提高效率并减少功率损耗。 - 电池充电保护：防止反向电流流动，保护电池免受过充或短路损害。 - 电压调节：在简单的线性稳压器设计中用作整流元件。 2. 信号隔离与保护 - 信号二极管功能：可用于分离不同电平的信号，避免干扰。 - 静电放电（ESD）保护：在敏感电路中提供瞬态电压抑制功能。 3. 汽车电子 - 车载充电系统：支持汽车中的辅助电源模块，例如为导航、娱乐系统供电。 - 发电机整流：用于小型发电机组件中的整流任务。 4. 消费类电子产品 - 便携式设备：如移动电源、蓝牙音箱等产品的内部电路中，用于整流和保护。 - 家用电器：在小家电（如风扇、吸尘器）的电机驱动电路中起到整流作用。 5. 工业控制 - 传感器接口：在工业自动化设备中，用作信号调理部分的整流组件。 - 继电器驱动：防止继电器线圈断开时产生的反电动势对电路造成破坏。 特点总结 - 封装形式：SOT-23 小型封装，适合空间受限的设计。 - 低功耗：正向压降低，有助于提升整体系统效率。 - 可靠性高：能够承受较高的浪涌电流，适应恶劣工作环境。 综上所述，MMBD6100LT1G 广泛应用于需要高效整流、紧凑设计以及良好保护性能的各种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ARRAY 70V 200MA SOT23二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,ON Semiconductor MMBD6100LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBD6100LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 50V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBD6100LT1GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值反向电压 | 70 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 4 ns |
| 最大反向漏泄电流 | 0.1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.1 V |
| 正向连续电流 | 0.2 A |
| 热阻 | 556°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 70V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 200mA（DC） |
| 系列 | MMBD6100L |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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