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- 型号： MMBD355LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD355LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD355LT1价格参考。ON SemiconductorMMBD355LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBD355LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD355LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD355LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双通道肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），常归类于射频（RF）二极管范畴，但需注意：其本质并非典型RF开关/检波专用管，而是通用型高速、低正向压降（VF ≈ 0.27V @ IF=10mA）、低结电容（典型值约0.4pF）的双二极管，采用SOT-23-3L封装。 主要应用场景包括： 1. 高速开关与逻辑电平转换：得益于纳秒级开关速度和低存储电荷，适用于数字电路中的钳位、隔离及高速信号整形； 2. 小信号检波与混频（低频至VHF段）：在30MHz–500MHz范围内的简易接收前端（如AM/FM收音机、无线遥控模块）中作包络检波或本振泄漏抑制； 3. ESD保护与输入钳位：在模拟/RF前端接口（如传感器信号线、音频输入）中提供±15kV HBM ESD防护（符合IEC 61000-4-2 Level 4），限制瞬态电压； 4. 电源轨反向阻断与OR-ing应用：在双电源备份或电池/USB供电切换电路中防止反向电流，提升能效。 需注意：MMBD355LT1不适用于高功率RF开关（如蜂窝基站PA控制）或GHz高频混频等严苛RF场景，其RF性能限于低中频段。典型设计中常配合匹配网络使用，并注意PCB布局以降低寄生电感影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY DUAL CA 7V SOT-23 |
| 产品分类 | RF 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBD355LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 1 对共阳极 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率耗散（最大值） | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 7V |
| 电流-最大值 | - |
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