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- 型号： MMBD354LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD354LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD354LT1价格参考。ON SemiconductorMMBD354LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBD354LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD354LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD354LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双共阴极肖特基二极管阵列，采用SOT-23封装，具有低正向压降（典型值0.36V @ 10mA）、快速开关特性（反向恢复时间＜1ns）和高开关频率能力。其主要应用场景包括： 1. 高速信号钳位与保护：常用于数字电路（如USB、LVDS、RS-485接口）中，对输入/输出信号进行ESD防护和电压钳位，防止瞬态过压损坏后级IC。 2. 极性保护与反向电流阻断：在便携式设备（如蓝牙耳机、TWS充电仓、智能穿戴）的电源输入端，实现低成本、低损耗的反接保护。 3. DC-DC转换器辅助功能：在升压（Boost）或反激式（Flyback）转换器中，用作续流二极管或同步整流的检测/箝位辅助路径，提升轻载效率。 4. 逻辑电平转换与OR-ing应用：利用双二极管结构实现双电源冗余供电（如主备电池切换）中的自动电源选择（Power ORing），避免反向馈电。 5. 高频检波与小信号整流：适用于射频前端、传感器信号调理等对压降敏感、需保持微弱信号完整性的场合。 该器件因体积小、响应快、功耗低，广泛应用于空间受限、能效要求高的消费电子、工业控制及通信模块中。注意其额定反向电压仅35V，不适用于高压整流场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23 |
| 产品分类 | RF 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBD354LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 1 对共阴极 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBD354LT1OSCT |
| 功率耗散（最大值） | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 7V |
| 电流-最大值 | - |
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