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- 型号： MMBD353LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD353LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD353LT1价格参考。ON SemiconductorMMBD353LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBD353LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD353LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD353LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款小信号双开关二极管（含两个独立的PIN结构二极管），常被归类于射频（RF）二极管范畴，适用于高频开关与检波场景。其典型应用场景包括： 1. 射频开关电路：在手机、Wi-Fi模块、蓝牙设备等便携式无线终端中，用于天线切换（如主/分集天线切换）、发射/接收（T/R）路径切换，得益于其低结电容（典型值0.35 pF @ 1 V）、快速开关速度（反向恢复时间trr < 2 ns）和低导通电阻。 2. 射频检波与信号解调：在简单AM接收器、RSSI检测电路或功率监测路径中，作为包络检波器，利用其良好的线性度和低失真特性提取RF信号幅度信息。 3. 限幅与保护电路：在LNA（低噪声放大器）前端或敏感射频输入端，配合偏置实现限幅功能，防止强干扰信号损坏后级器件。 4. 自动增益控制（AGC）反馈环路：作为可变衰减器的一部分，通过调节直流偏置改变二极管阻抗，动态控制射频信号通路增益。 该器件采用SOT-23封装，体积小、成本低，适合高集成度、低功耗的消费类及工业级无线应用。需注意其最大反向电压仅30 V，不适用于高压或大功率射频环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23 |
| 产品分类 | RF 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBD353LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 1 对串联 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBD353LT1OSCT |
| 功率耗散（最大值） | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 7V |
| 电流-最大值 | - |
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