【未分类_MMBD352LT3G】封装/厂家_MMBD352LT3G中文资料_价格

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型号： MMBD352LT3G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD352LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD352LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBD352LT3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBD352LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD352LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBD352LT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能小信号肖特基二极管，属于射频（RF）二极管类别。其主要应用场景包括：

1. 射频检波与解调：凭借低结电容（典型值0.5pF @ 1V）、快速开关特性（反向恢复时间<1ns）和低正向压降（约0.3V @ 1mA），适用于AM/FM无线电、无线遥控、ISM频段（如315/433MHz）接收机中的包络检波电路。

2. 高频开关与混频：在低功率射频前端中用作开关或简易混频器元件，适用于便携式无线设备（如蓝牙模块、Zigbee节点、胎压监测系统TPMS）中的信号路由与幅度控制。

3. ESD保护与箝位：集成于射频I/O接口（如天线开关、LNA输入端），利用其快速响应能力提供瞬态电压抑制，增强系统抗静电能力（符合IEC 61000-4-2 Level 4要求）。

4. 低功耗传感器与IoT节点：SOT-23封装、低漏电流（IR < 10nA @ 10V）及宽工作温度范围（–65°C 至 +150°C），使其适用于电池供电的无线传感节点、智能电表及可穿戴设备中的RF信号调理电路。

该器件不适用于大功率整流或高反向电压场景（VRM=30V），设计时需注意PCB布局以最小化寄生电感/电容，确保高频性能。

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