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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD2836LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD2836LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBD2836LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBD2836LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBD2836LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD2836LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的二极管整流器阵列。该型号属于二极管 - 整流器 - 阵列类别,具有高效、低功耗和高可靠性的特点,广泛应用于多种电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 MMBD2836LT1G 常用于电源电路中的整流功能,将交流电转换为直流电。它适用于小型开关电源、适配器和充电器等设备,能够提供高效的电力传输。 2. 信号保护 该二极管阵列可用于保护敏感电子器件免受过压或反向电流的影响。例如,在数据通信接口(如 USB 或 RS-232)中,它可以防止静电放电(ESD)或瞬态电压对电路的损害。 3. 电池管理系统 在电池供电设备中,MMBD2836LT1G 可以用作反向电流保护二极管,确保电池不会因外部短路或其他异常情况而受损。此外,它还可以在多节电池系统中实现平衡管理。 4. 电机驱动电路 在小型电机驱动应用中,该二极管阵列可用作续流二极管(Flyback Diode),以吸收感性负载产生的反电动势,从而保护驱动电路中的晶体管和其他元件。 5. 汽车电子 由于其高可靠性和耐高温特性,MMBD2836LT1G 被广泛应用于汽车电子领域,例如车载音响系统、传感器模块和车身控制单元(BCM)。它可以处理复杂的电源环境并提供稳定的性能。 6. 消费类电子产品 该型号适合用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的充电电路中,提供高效的整流和保护功能。 7. 工业自动化 在工业控制领域,MMBD2836LT1G 可用于 PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和继电器驱动电路中,提供可靠的整流和保护功能。 总之,MMBD2836LT1G 凭借其小尺寸、高效率和出色的电气性能,成为许多现代电子设备中不可或缺的组件,适用于各种需要整流、保护和高效能源管理的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ARRAY 75V 100MA SOT23二极管 - 通用,功率,开关 75V 200mA |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,ON Semiconductor MMBD2836LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBD2836LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 50V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对共阳极 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 二极管 - 通用,功率,开关 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBD2836LT1GOS |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值反向电压 | 75 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 4 ns |
| 最大反向漏泄电流 | 0.1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.2 V |
| 正向连续电流 | 0.1 A |
| 热阻 | 556°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 75V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 100mA(DC) |
| 系列 | MMBD2836L |
| 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
| 配置 | Dual Common Anode |