【未分类_MMBD101LT1G】封装/厂家_MMBD101LT1G中文资料_价格

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型号： MMBD101LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD101LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD101LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBD101LT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBD101LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD101LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBD101LT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款射频二极管，属于二极管 - 射频分类。该型号主要应用于高频和射频电路中，以下是其典型应用场景：

1. 射频开关：  
   MMBD101LT1G 可用于射频信号的切换，例如在无线通信设备、雷达系统或测试测量仪器中实现信号路径的选择。它具有低电容和快速响应的特点，适合高频环境下的开关应用。

2. 混频器与调制解调器：  
   在射频通信系统中，该二极管可用于混频器电路，将输入信号与本地振荡器信号混合以生成新的频率分量。此外，它也可以用作调制解调器中的关键元件，支持 AM、FM 或其他调制方式。

3. 检波器：  
   作为射频检波器的一部分，MMBD101LT1G 能够将高频射频信号转换为直流电压或低频信号，广泛应用于信号强度检测、功率测量以及无线电接收机中。

4. 限幅器：  
   在保护敏感电路免受过强信号干扰时，该二极管可以用来设计限幅器电路。当输入信号超过一定幅度时，二极管会导通并限制输出信号的范围。

5. 谐波发生器：  
   利用非线性特性，MMBD101LT1G 可以生成高次谐波，适用于需要特定频率倍增的场景，如频率合成器或测试设备。

6. 移动通信设备：  
   在手机、基站和其他无线通信设备中，这款二极管可能被用于天线切换、信号处理或功率放大器保护等环节。

7. 卫星通信与导航系统：  
   在 GPS 接收机或其他卫星通信设备中，该二极管可用于信号处理模块，确保高效且稳定的射频性能。

总之，MMBD101LT1G 凭借其优异的射频性能和可靠性，成为许多现代电子设备中不可或缺的组件，尤其适合高频和低功耗的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SCHOTTKY 225MW 7V SOT23肖特基二极管与整流器 7V 225mW Single
产品分类	RF 二极管分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MMBD101LT1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MMBD101LT1G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 If、F时的电阻	-
不同 Vr、F时的电容	1pF @ 0V，1MHz
二极管类型	肖特基 - 单
产品	Schottky Diodes
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	Diodes- Schottky
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBD101LT1GOSDKR
功率耗散（最大值）	225mW
包装	Digi-Reel®
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23
峰值反向电压	7 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
工厂包装数量	3000
技术	Silicon
最大反向漏泄电流	0.25 uA at 3 V
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向电压下降	0.6 V at 0.01 A
电压-峰值反向（最大值）	7V
电流-最大值	-
系列	MMBD101L
配置	Single

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