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  • 型号: MKE38RK600DFELB-TRR
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MKE38RK600DFELB-TRR由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MKE38RK600DFELB-TRR价格参考。IXYSMKE38RK600DFELB-TRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MKE38RK600DFELB-TRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MKE38RK600DFELB-TRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的MKE38RK600DFELB-TRR是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率半导体器件,主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有较高的耐压能力和良好的导通性能,适用于需要高效能功率转换的场合。

该MOSFET的典型应用场景包括:

1. 电源转换系统:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效能电能转换。
2. 电机驱动:用于工业自动化、电动工具、电动车等电机控制电路中,作为功率开关元件。
3. 逆变器和变频器:在太阳能逆变器、UPS不间断电源、变频空调等设备中用于电能形式的转换。
4. 充电设备:如电池充电器、电动汽车充电模块等。
5. 工业控制设备:用于工业自动化系统中的功率控制模块。

该器件采用表面贴装封装,适合自动化生产和高密度电路设计,适用于对空间和散热有一定要求的电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

MKE38RK600DFELB-TRR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 3mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6800pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

190nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 毫欧 @ 44A,10V

供应商器件封装

ISOPLUS-SMPD™.B

功率-最大值

-

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

9-SMD 模块

标准包装

200

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

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