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MJD50G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD50G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD50G价格参考。ON SemiconductorMJD50G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 1A 10MHz 1.56W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD50G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD50G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD50G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),具有较高功率和电流放大能力。该晶体管常用于功率放大和开关应用中。 其典型应用场景包括: 1. 功率放大器:MJD50G可用于音频功率放大器中,作为输出级晶体管,提供高电流输出能力,适用于音响系统、功放设备等。 2. 开关电路:由于其高电流和耐压特性,MJD50G适用于中高功率的开关电路,如电源控制、继电器驱动、电机控制等工业自动化领域。 3. 电源管理:在某些线性电源或DC-DC转换器中,MJD50G可作为调整管使用,用于稳压或电流调节。 4. 工业控制设备:用于工业控制电路中,如PLC输出驱动、电磁阀控制、加热元件控制等。 5. 汽车电子:适用于汽车电子系统中的高电流负载控制,如车灯控制、风扇电机驱动等。 该晶体管采用TO-252封装,具有良好的散热性能,适合表面贴装,适用于需要中高功率处理能力的电路设计。使用时需注意其最大额定参数,如最大集电极电流(IC)、最大集射极电压(VCE)及功耗(PD),并合理设计散热方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS POWER NPN 1A 400V DPAK两极晶体管 - BJT 1A 400V 15W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD50G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD50G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 200mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 300mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD50G-ND |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 10 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 200µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | MJD50 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 500 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 10MHz |