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- 型号： MJD45H11RL
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD45H11RL由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD45H11RL价格参考。ON SemiconductorMJD45H11RL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD45H11RL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD45H11RL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD45H11RL 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型高电压、高增益达林顿功率晶体管，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型应用包括： • 中功率开关与驱动电路：适用于继电器、电磁阀、LED阵列及小型电机（如直流风扇、步进电机绕组）的驱动，可承受高达100V的集电极-发射极电压（VCEO）和5A连续集电极电流（IC）。 • 线性稳压器与串联调整管：凭借高直流电流增益（hFE ≥ 1000 @ IC=2A），适合用于低压差（LDO）或可调式线性稳压电源中的调整元件。 • 音频输出级与信号放大：在低频、中功率音频放大器（如小功率功放末级）中提供电流放大能力。 • 工业控制接口：作为PLC输出模块、固态继电器（SSR）或隔离驱动电路中的功率开关器件，配合光耦实现电气隔离。 该器件内置基极-发射极反向并联二极管（B-E diode），有助于抑制感性负载关断时的反向电动势；同时具备良好的热稳定性与SOA（安全工作区）特性，适用于中等频率（≤100kHz）开关场景。需注意：因达林顿结构导致饱和压降较高（VCE(sat) ≈ 2–3V），不适用于超低功耗或高频PWM（如>200kHz）场合。设计时应合理配置基极限流电阻，并确保PCB散热良好（建议敷设足够铜箔面积）。
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