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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MJD44H11T5
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD44H11T5由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD44H11T5价格参考。ON SemiconductorMJD44H11T5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD44H11T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD44H11T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD44H11T5 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型达林顿功率双极结型晶体管（BJT），采用TO-220AB封装，具备高电流增益（hFE典型值达1000）、连续集电极电流IC可达10A、VCEO额定电压为80V，且内置基极-发射极反向并联二极管（用于吸收感性负载反电动势）。 其典型应用场景包括： ✅ 中功率开关控制：如工业继电器驱动、电磁阀/螺线管控制、直流电机正向启停与调速（配合PWM或线性驱动）； ✅ 线性稳压器调整管：在大电流（≤8A）可调稳压电源中作为输出级功率管； ✅ 音频功率放大：适用于低频、中功率AB类音频放大器的输出级（需配合适当散热）； ✅ 电源保护电路：如过流检测后的关断执行器件、电子保险丝核心开关元件； ✅ 逆变器与UPS系统：在中小功率DC-AC变换器中驱动变压器或滤波电感等感性负载。 该器件强调高β值与易驱动特性（低基极驱动电流即可饱和），适合由微控制器I/O或逻辑IC直接驱动（常配合限流电阻）。但需注意：达林顿结构导致饱和压降较高（VCE(sat)约3–4V），导通功耗较大，故必须配备足够面积的散热片，尤其在持续大电流工作时。不推荐用于高频开关（f > 20kHz）场景，因开关速度较慢（tf ≈ 1.5μs），更适配中低频（<100kHz）应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS POWER NPN 8A 80V DPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJD44H11T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 频率-跃迁 | 85MHz |
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