【未分类_MJD31T4】封装/厂家_MJD31T4中文资料_价格

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型号： MJD31T4
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MJD31T4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD31T4价格参考。ON SemiconductorMJD31T4封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MJD31T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD31T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJD31T4 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型达林顿功率晶体管，采用TO-220AB封装，具有高电流增益（hFE典型值达1000）、连续集电极电流IC可达3A、集射极击穿电压VCEO为100V，适用于中等功率放大与开关应用。

其典型应用场景包括：  
- 直流电机驱动：如小型风扇、泵、自动门执行器等，利用其高增益特性可由微控制器IO口直接驱动；  
- 继电器/电磁阀驱动电路：作为缓冲/驱动级，隔离控制侧与感性负载，配合续流二极管使用；  
- 线性稳压器调整管：在低压差或大电流输出的线性电源中作串联调整元件（需注意散热）；  
- 音频功率放大器前置驱动级：用于需要高输入阻抗和强电流驱动能力的AB类功放输入/中间级；  
- 工业控制接口电路：PLC输出模块、传感器信号调理中的电平转换与负载切换。

需注意：该器件为达林顿结构，基射极导通压降较高（约1.4V），且存在饱和压降VCE(sat)较大（典型1.5V@IC=3A）的问题，故不适用于超低压或高效率开关场景；实际应用中必须配备足够散热片，并建议添加基极限流电阻及反向电动势保护措施。

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