【未分类_MJD31CITU】封装/厂家_MJD31CITU中文资料_价格

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型号： MJD31CITU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MJD31CITU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD31CITU价格参考。Fairchild SemiconductorMJD31CITU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MJD31CITU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD31CITU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJD31CITU 是安森美（ON Semiconductor）推出的 NPN 型中功率达林顿晶体管，采用 TO-220AB 封装，具有高电流增益（hFE 典型值达 1000）、连续集电极电流 IC 高达 10 A、VCEO 额定电压为 100 V，内置基极-发射极反向并联二极管（用于抑制关断感性尖峰）。  

其典型应用场景包括：  
✅ 中功率线性稳压器的调整管：如大电流可调稳压电源（LM338/LM350 辅助扩流），提供稳定输出电流；  
✅ 直流电机驱动与控制：用于 24–48 V 工业风扇、泵、小型电动执行器的开关/线性调速；  
✅ 继电器/电磁阀驱动电路：作为高增益缓冲级，以微弱信号（如 MCU GPIO）直接驱动感性负载；  
✅ 固态继电器（SSR）输出级或电源软启动电路；  
✅ 音频功率放大器的输出级预驱动（非主功放，适用于低频、中功率场景）。  

注意：该器件为达林顿结构，饱和压降较高（VCE(sat) ≈ 2–3 V @ IC=5A），开关速度较慢（fT ≈ 3 MHz），不适用于高频开关电源（如DC-DC PWM主开关）；使用时需加装足够散热片，并建议在基极串联限流电阻（通常 1–10 kΩ）以防过驱动。  

综上，MJD31CITU 适用于对增益和驱动能力要求高、但对开关速度和导通压降容忍度较高的中功率模拟/工业控制场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR NPN 100V 3A IPAK
产品分类	晶体管(BJT) - 单路
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MJD31CITU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.2V @ 375mA，3A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	10 @ 3A，4V
供应商器件封装	I-Pak
功率-最大值	1.56W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
晶体管类型	NPN
标准包装	70
电压-集射极击穿（最大值）	100V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	50µA
频率-跃迁	3MHz