Datasheet下载- 型号： MJD2955G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD2955G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD2955G价格参考。ON SemiconductorMJD2955G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD2955G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD2955G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD2955G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款PNP型双极结型晶体管（BJT），常用于功率放大和开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、稳压电源等，作为功率开关元件使用，具备较高的电流承载能力和耐压性能。 2. 电机驱动电路：在小型电机或继电器驱动中作为开关管，控制负载的通断，适用于工业自动化和家电控制领域。 3. 音频功率放大器：由于其良好的线性特性，常用于音频功放输出级，如音响系统或公共广播设备中。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或逆变器中用于功率转换环节，实现电能形式的变换。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、灯控模块等对可靠性要求较高的场景。 该器件采用TO-252封装，具有较好的散热性能，适合中高功率应用场景。设计时需注意基极驱动能力与热管理，以确保稳定工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD2955G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD2955G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 8V @ 3.3A，10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 4A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD2955G-ND |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 2 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | MJD2955 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 70 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.1 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 2MHz |
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