Datasheet下载- 型号： MJD210G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD210G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD210G价格参考。ON SemiconductorMJD210G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD210G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD210G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD210G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于中功率开关和放大电路。该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于需要中等功率控制的各种电子系统。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于开关电源、DC-DC转换器中，作为功率开关元件，控制电流的通断。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机的驱动电路中，作为电流放大或开关元件使用。 3. 继电器驱动：用于驱动继电器线圈，实现对高电压或大电流负载的控制。 4. 音频放大器：在低频功率放大电路中，作为输出级或驱动级使用。 5. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、自动化设备中的信号放大与功率控制部分。 6. 汽车电子系统：用于汽车灯光控制、风扇控制等需要高可靠性和耐高温能力的场景。 MJD210G采用TO-252封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装，广泛应用于各类中功率电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS POWER PNP 5A 25V DPAK两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD210G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD210G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.8V @ 1A，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 45 @ 2A，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD210G-ND |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 8 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 65 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 系列 | MJD210 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 65MHz |
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