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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MIMD10A-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MIMD10A-7-F价格参考。Diodes Inc.MIMD10A-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MIMD10A-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MIMD10A-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MIMD10A-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻(即集成基极上拉/下拉电阻),采用 SOT-26 封装,含两个 NPN 晶体管,共发射极配置,具有匹配特性与简化设计优势。 其典型应用场景包括: ✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动:如将 3.3V/5V MCU GPIO 信号安全、高效地驱动 LED、继电器或小功率 MOSFET 栅极;预偏置结构省去外部基极电阻,节省 PCB 面积并提升一致性。 ✅ 固态开关与负载控制:用于打印机、家电、工业控制板中的 LED 指示灯阵列、蜂鸣器驱动、小型电磁阀或风扇控制等中低电流(IC ≤ 100mA)开关场合。 ✅ 信号调理与脉冲整形:在传感器信号调理电路中作缓冲、反相或施密特触发前端,利用其快速开关特性(fT ≈ 250MHz)和良好增益匹配性。 ✅ 冗余/双通道功能电路:如双路状态指示、互锁控制、备份信号路径等需两个匹配晶体管的紧凑型设计。 该器件具备 ±5kV HBM ESD 保护、宽工作温度范围(−55°C 至 +150°C)及 AEC-Q101 认证(适用于汽车级应用),因此亦可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)等对可靠性要求较高的场景。 注意:不适用于线性放大或大功率开关(因封装热限及额定功耗仅约300mW),设计时需校验实际功耗与温升。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 PREBIASED COMP. |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated MIMD10A-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MIMD10A-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms, 0.1 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA at NPN, 500 mA at PNP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100,10k |
| 系列 | MIMD10A |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 250MHz,200MHz |