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  • 型号: MIMD10A-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MIMD10A-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MIMD10A-7-F价格参考。Diodes Inc.MIMD10A-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MIMD10A-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MIMD10A-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MIMD10A-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻(即集成基极上拉/下拉电阻),采用 SOT-26 封装,含两个 NPN 晶体管,共发射极配置,具有匹配特性与简化设计优势。

其典型应用场景包括:  
✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动:如将 3.3V/5V MCU GPIO 信号安全、高效地驱动 LED、继电器或小功率 MOSFET 栅极;预偏置结构省去外部基极电阻,节省 PCB 面积并提升一致性。  
✅ 固态开关与负载控制:用于打印机、家电、工业控制板中的 LED 指示灯阵列、蜂鸣器驱动、小型电磁阀或风扇控制等中低电流(IC ≤ 100mA)开关场合。  
✅ 信号调理与脉冲整形:在传感器信号调理电路中作缓冲、反相或施密特触发前端,利用其快速开关特性(fT ≈ 250MHz)和良好增益匹配性。  
✅ 冗余/双通道功能电路:如双路状态指示、互锁控制、备份信号路径等需两个匹配晶体管的紧凑型设计。

该器件具备 ±5kV HBM ESD 保护、宽工作温度范围(−55°C 至 +150°C)及 AEC-Q101 认证(适用于汽车级应用),因此亦可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)等对可靠性要求较高的场景。

注意:不适用于线性放大或大功率开关(因封装热限及额定功耗仅约300mW),设计时需校验实际功耗与温升。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 PREBIASED COMP.

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated MIMD10A-7-F-

数据手册

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产品型号

MIMD10A-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-363

典型输入电阻器

10 kOhms, 0.1 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

峰值直流集电极电流

100 mA at NPN, 500 mA at PNP

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA,500mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

100,10k

系列

MIMD10A

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

频率-跃迁

250MHz,200MHz

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