【未分类_MGY40N60D】封装/厂家_MGY40N60D中文资料_价格

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型号： MGY40N60D
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MGY40N60D由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGY40N60D价格参考。ON SemiconductorMGY40N60D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MGY40N60D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGY40N60D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MGY40N60D 是安森美（ON Semiconductor）推出的600V、40A高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值35mΩ）、快速开关特性及优异的体二极管性能。其主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业及通信领域的AC-DC电源、服务器电源、PFC（功率因数校正）电路，尤其适合作为升压PFC主开关管，兼顾高效率与高功率密度。

2. 电机驱动系统：适用于中小功率变频器、家用电器（如变频空调、洗衣机）和工业风机/泵的逆变模块，支持高频PWM控制，降低开关损耗。

3. UPS与储能系统：在不间断电源的DC-AC逆变级及双向DC-DC变换器中，提供可靠、高效的能量转换。

4. 感应加热与照明电子镇流器：满足高频（数十kHz至百kHz级）硬开关或准谐振工作需求，具备良好的dv/dt耐受能力和雪崩能量额定值（EAS=1000mJ），提升系统鲁棒性。

需注意：该器件为增强型N沟道MOSFET（非IGBT），设计时应优化驱动电压（推荐10–15V）、布局以抑制寄生电感，并配合合适的散热方案（如强制风冷或铝基板）。不适用于超低频（<1kHz）大电流线性应用或需极高短路耐受能力的场合。

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