【未分类_MGW12N120D】封装/厂家_MGW12N120D中文资料_价格

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型号： MGW12N120D
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MGW12N120D由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGW12N120D价格参考。ON SemiconductorMGW12N120D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MGW12N120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGW12N120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MGW12N120D 是安森美（ON Semiconductor）推出的1200V、12A高压IGBT单管，内置反并联快恢复二极管，采用TO-3P封装，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.1V @ IC=12A）、良好开关性能及高鲁棒性。其典型应用场景包括：  
1. 工业变频器与电机驱动：用于中小功率（约1–3kW）三相逆变单元，驱动感应电机或永磁同步电机，满足启停、调速及能效要求；  
2. 不间断电源（UPS）：作为DC-AC逆变级主开关器件，支持高频PWM控制与可靠过载/短路保护；  
3. 光伏逆变器：适用于组串式逆变器的升压或逆变环节，配合SiC二极管可提升系统效率；  
4. 感应加热与电磁炉：在谐振拓扑（如LLC、串联谐振）中实现高频（20–100kHz）硬开关或准谐振工作；  
5. 焊接设备与APF有源滤波器：承担大电流斩波与动态响应任务，依赖其短路耐受能力（典型tSC=10μs）与热稳定性。  
该器件需搭配合适驱动电路（如隔离型IGBT栅极驱动器）、RC缓冲吸收网络及散热设计（建议结温≤150℃），适用于对成本、可靠性与中等开关频率（≤30kHz）有综合要求的工业电力电子系统。

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