【未分类_MGP19N35CL】封装/厂家_MGP19N35CL中文资料_价格

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型号： MGP19N35CL
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MGP19N35CL由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGP19N35CL价格参考。ON SemiconductorMGP19N35CL封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MGP19N35CL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGP19N35CL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MGP19N35CL 是一款由 Mitsubishi Electric（三菱电机）生产的 N 沟道功率 MOSFET，额定电压 350V，连续漏极电流约 19A（Tc=25℃），采用 TO-247 封装。虽常被归类于“IGBT/MOSFET 单管”类别，但其本质为高压高速硅基 MOSFET（非 IGBT），适用于中高电压、中等功率的开关应用。

典型应用场景包括：  
✅ 工业电源：如通信电源、服务器 PSU 中的 PFC（功率因数校正）升压开关管或主变换器下管；  
✅ 电机驱动：中小功率变频器、BLDC（无刷直流）电机控制器中的逆变桥臂开关；  
✅ 照明电子：大功率 LED 驱动电源（如路灯、工矿灯）的高频斩波与恒流控制；  
✅ 家电与新能源：空调压缩机驱动、光伏微逆变器 DC-DC 升压级、储能系统双向变换器等。

其 350V 耐压适配整流后 260–300V DC 母线（如单相整流），19A 电流能力兼顾效率与散热设计，配合较低导通电阻（Rds(on) 典型值约 0.22Ω）和快速开关特性（Qg 约 45nC），利于降低导通损耗与开关损耗，提升系统能效。需注意：实际使用须配合合适栅极驱动（如±15V 驱动、足够峰值电流）、RC 缓冲电路及充分散热（建议加装散热器）以保障可靠性。  

（注：该型号已逐步被更新系列替代，量产与供货需确认当前状态。）

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