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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MGP15N40CL由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGP15N40CL价格参考。ON SemiconductorMGP15N40CL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MGP15N40CL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MGP15N40CL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MGP15N40CL 是安森美(ON Semiconductor)推出的 N 沟道增强型高压 MOSFET(非 IGBT),采用 TO-220AB 封装,额定电压 400 V,连续漏极电流 15 A(Tc=25°C),具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.28 Ω)、快速开关特性和内置续流二极管,适用于中高功率、高频开关场景。 典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):如 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管,利用其高耐压与低损耗特性提升效率。 ✅ 电机控制:用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或单相交流电机的驱动电路(如风扇、水泵、电动工具),配合栅极驱动器实现 PWM 调速。 ✅ 逆变器与UPS:在离线式 UPS 或小型光伏逆变器中作为 DC-AC 逆变桥臂开关元件(常用于半桥拓扑)。 ✅ 电磁炉/感应加热:在谐振式(LLC、串联谐振)功率级中承担高频(20–100 kHz)硬开关或准谐振开关任务。 ✅ 工业控制与照明:如固态继电器(SSR)、智能电表电源管理、大功率 LED 恒流驱动等需可靠、耐用开关器件的场合。 注意:该器件为标准 MOSFET(非 IGBT),不适用于超高压(>600 V)或超大电流(>30 A)场景;设计时需重视栅极驱动能力、PCB 散热布局及雪崩耐量(MGP15N40CL 具有额定 UIS 能力),以确保长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | -/4µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 440V 15A 150W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MGP15N40CL |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V,6.5A,1 千欧 |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.9V @ 4V, 25A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MGP15N40CLOS |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 440V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 15A |
| 输入类型 | 逻辑 |