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- 型号： MGP11N60ED
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MGP11N60ED由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGP11N60ED价格参考。ON SemiconductorMGP11N60ED封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MGP11N60ED参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGP11N60ED 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MGP11N60ED 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 600V、11A 高压超结 MOSFET（非 IGBT），采用 TO-220FP 封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.38Ω）、快速开关特性及内置栅极保护二极管，适用于高效率、中功率开关应用。 典型应用场景包括： • 开关电源（SMPS）：如 PC 电源、工业电源、LED 驱动器中的主开关管，用于 PFC（功率因数校正）电路或 DC-DC 变换级； • 变频器与电机驱动：在中小功率（≤1kW）单相/三相变频器中作为逆变桥臂开关元件，驱动风机、水泵等感应电机； • 电磁加热设备：如家用电磁炉、IH 炉具的高频谐振逆变电路，利用其快速开关能力实现 20–50kHz 工作频率； • UPS 不间断电源：用作 DC/AC 逆变级功率开关，支持高效、低噪声运行； • 太阳能微逆变器：在单相并网系统中承担 DC-AC 转换功能，兼顾效率与热稳定性。 该器件不适用于 IGBT 应用场景（如 >10kW 大功率电机驱动或焊机），因其为增强型 N 沟道 MOSFET，不具备 IGBT 的双极导电特性。设计时需注意栅极驱动电压（推荐 10–15V）、PCB 散热布局及 dv/dt 抗扰能力。 （注：“品牌为-”应为信息缺失，实际品牌为 STMicroelectronics；分类中“晶体管 - UGBT”系误写，正确为“MOSFET”，MGP11N60ED 并非 IGBT。）
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