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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MEM2012W181RT001由TDK设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MEM2012W181RT001价格参考。TDKMEM2012W181RT001封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MEM2012W181RT001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MEM2012W181RT001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MEM2012W181RT001 是村田(Murata)出品的片式EMI/RFI滤波器(LC型低通滤波器),尺寸为2.0×1.2mm,标称阻抗180Ω@100MHz,额定电流300mA,截止频率约120MHz。其典型应用场景包括: - 高速数字接口滤波:用于USB 2.0、HDMI、MIPI D-PHY等信号线,抑制高频噪声(如开关电源谐波、时钟辐射)进入或逸出芯片,满足CISPR 25 Class 5或FCC Part 15 B类EMI要求; - 电源去耦与噪声抑制:在SoC、Wi-Fi/BT模组、摄像头传感器、显示驱动IC等敏感器件的VDD/VIO供电路径中,滤除DC-DC转换器产生的10–300MHz频段开关噪声,提升系统稳定性与信噪比; - 车载电子系统:符合AEC-Q200可靠性标准(该型号有车规版本),广泛应用于ADAS摄像头模块、信息娱乐系统音频/视频链路、CAN/LIN总线供电端口,确保严苛电磁环境下的功能安全; - 便携设备EMI对策:在智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中,因体积微小、插入损耗优异(≥25dB@100–500MHz),常被集成于FPC连接器附近或主控BGA下方,实现“源头滤波”,兼顾空间限制与EMC性能。 该器件采用铁氧体磁珠+内置电容的π型结构(LC网络),兼具高阻抗与低直流电阻(Rdc≈0.3Ω),适用于需兼顾信号完整性与低功耗的中高频噪声抑制场景。