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- 型号： MCH6626-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6626-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6626-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyMCH6626-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6626-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6626-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6626-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道功率MOSFET阵列，采用超小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 28 mΩ @ VGS=4.5V）、快速开关特性及高可靠性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：广泛用于智能手机、平板电脑、TWS耳机等的负载开关、电池保护电路及DC-DC转换器的同步整流，支持高效、紧凑的电源设计。 2. 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流电机（如振动马达、风扇）的H桥或半桥驱动；亦可用于RGB LED背光或闪光灯的PWM调光控制，利用其低导通损耗提升能效。 3. 热插拔与电源排序电路：在多电压轨系统（如USB供电设备、IoT模块）中实现受控上电/断电，防止浪涌电流与电压倒灌。 4. 工业与消费类嵌入式系统：作为逻辑电平驱动的功率开关，用于继电器替代、传感器供电开关或MCU外设电源管理，简化PCB布局并节省空间。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平驱动，具备ESD防护与过温保护兼容性，符合AEC-Q101（部分批次），亦适用于严苛环境下的基础车用电子（如车身控制模块）。其双MOSFET集成结构可减少元件数量、提升系统集成度与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MCH6626-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 105pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 800mA，4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 其它名称 | 869-1180-6 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A，1A |
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